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    預(yù)存
    常規(guī)測(cè)試
    TOF-SIMS測(cè)試流程

    TOF-SIMS測(cè)試流程

    • 課程介紹
    • 講師介紹

    靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）主要用于樣品成像、成分定性鑒定; 三維成像、二維成像、質(zhì)譜。對(duì)材料表面、界面的元素、分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，分析深度:表面1-3nm，檢出限：ppm級(jí)別。

    制樣要求：

    1、樣品要求無磁性，粉末樣品至少10mg；

    2、塊體樣品尺寸小于1cmx1cmX8mm，最小幾毫米大??；

    3、需要3D圖請(qǐng)選擇，默認(rèn)沒有;

    4、深度分析具體測(cè)試費(fèi)用與深度、離子有關(guān);

    5、如果測(cè)試需要和之前的同條件，送樣務(wù)必提供之前測(cè)試條件；

    6、正負(fù)離子分開測(cè)試，測(cè)試時(shí)間不疊加。



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