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顯微成像 成分分析 結(jié)構(gòu)分析 物性分析 聲光電磁 熱學性能 力學性能 原位測試 材料加工 環(huán)境試驗 同步輻射 現(xiàn)場/云現(xiàn)場
聚焦離子束(FIB)

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FIB云現(xiàn)場/現(xiàn)場

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離子減薄/電解雙噴?

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冷凍切片

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真空冷凍干燥機

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高溫灼燒/熱處理氣氛爐

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放電等離子燒結(jié)(SPS)

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線切割

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行星球磨儀

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平均周期4天  |  總體滿意度99%

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氬離子拋光(離子研磨CP)

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磁控濺射鍍膜

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熱等靜壓(HIP)

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1000T六面頂壓機

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專業(yè)級3D打印

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原子層沉積技術(shù)(ALD)

原子層沉積技術(shù)(ALD)

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RIE反應(yīng)離子刻蝕

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 等離子體聚焦離子束顯微鏡(PFIB)

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靜電紡絲

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平板硫化機

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紫外光刻機

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凝膠化時間測試儀

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電子輻照加速器

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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)

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離子束刻蝕機(IBE)

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激光直寫光刻機

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注塑成型

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EBL電子束曝光系統(tǒng)?

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常見問題

Q&A

Q:到底是發(fā)論文還是申請專利?
A:論文和專利都是技術(shù)的載體,論文審稿側(cè)重考察數(shù)據(jù)是否可靠、結(jié)論是否準確,發(fā)明專利會經(jīng)過新穎性或創(chuàng)造性的審查,授權(quán)后獲得獨占權(quán)而受到法律保護,自己在先公開的論文會導致在后申請的專利失去新穎性或創(chuàng)造性,對于同一方案務(wù)必先申請專利再發(fā)表論文。
Q:專利申請為什么要趁早?
A:1.要防止創(chuàng)意或產(chǎn)品推出前被模仿。2.相關(guān)技術(shù)更新迭代、層出不窮,慢一步就會導致他人先公開自己的創(chuàng)意而無法獲得專利權(quán)。3.專利可以在升學評獎、職稱考核、高企認定等過程中添加砝碼,競爭激烈,提早準備更容易命中目標。
Q:哪些不能申請專利?
A:1. 科學發(fā)現(xiàn);3. 疾病的診斷和治療方法;4. 動物和植物品種;5. 用原子核變換方法獲得的物質(zhì);6. 對平面印刷品的圖案、色彩或者二者的結(jié)合作出的主要起標識作用的設(shè)計。
Q:發(fā)明和實用新型有何區(qū)別?
A:1.保護客體不同,發(fā)明專利保護產(chǎn)品、方法或者改進所提出的新的技術(shù)方案,實用新型專利只保護產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實用的新的技術(shù)方案。2.審批程序不同,發(fā)明專利需要經(jīng)過實質(zhì)審查以確定滿足新穎性、創(chuàng)造性和實用性,審查時間更長,實用新型不需要經(jīng)過實質(zhì)審查,創(chuàng)造性和技術(shù)水平較發(fā)明專利低,但實用價值大。3.保護期限不同,發(fā)明專利權(quán)的期限為二十年,實用新型專利權(quán)的期限為十年,外觀設(shè)計專利權(quán)的期限為十五年,均自申請日起計算。
Q:什么是技術(shù)交底書?
A:技術(shù)交底書是發(fā)明人和代理師溝通的基礎(chǔ),應(yīng)當涵蓋現(xiàn)有技術(shù)的問題是什么,發(fā)明人提出了什么樣的解決方案,達到了何種效果,以及希望保護的核心技術(shù)要點是什么,應(yīng)當盡可能記錄技術(shù)內(nèi)容,充分描述技術(shù)細節(jié),提供有力的證明材料,如此才能撰寫更高質(zhì)量的專利。
Q:如何才能更快獲得發(fā)明專利授權(quán)?
A:1.優(yōu)先審查,涉及特定的高端制造、節(jié)能環(huán)保、新材料、新能源等特殊領(lǐng)域,可以申請優(yōu)先審查,最快可在6-8個月獲得發(fā)明專利授權(quán)。2.通過保護中心的預(yù)審加快審查,進入快速審查通道,可進一步壓縮授權(quán)時間。
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