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    共振非彈性X射線散射（RIXS）技術: 原理及應用
    來源：本站 時間：2021-06-19 14:28:59 瀏覽：21941次

    1 引言

    1895年，倫琴對X射線的發(fā)現(xiàn)為物質(zhì)研究開辟了一個嶄新的領域。X射線波長剛好與物質(zhì)內(nèi)原子間的距離相當(10-10 m)，因此當X射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用時，許多原子量級的微觀信息，諸如材料的晶體結(jié)構、能帶構成、振轉(zhuǎn)動譜等均可被有效地獲得。隨后愛因斯坦提出的光電效應以及德布羅意的物質(zhì)波理論為從量子物理角度來理解X射線與物質(zhì)相互作用奠定了深刻的基礎。在大型同步輻射裝置出現(xiàn)后，應用X射線來對物質(zhì)微觀結(jié)構進行研究成為材料領域的重要研究手段。

    共振非彈性X射線散射（RIXS）作為一種光子探測技術在過去十多年內(nèi)得到迅速發(fā)展。得益于光學元件等實驗設備方面的進步，目前RIXS的能量分辨率對于1000電子伏特左右的光子已提升至幾十個毫電子伏特，超高的能量分辨率使得人們能夠探測到材料內(nèi)部以往得不到的很多細節(jié)，比如氧化銅中的低能磁振子激發(fā)及電聲子耦合相互作用。同時，這些新的實驗數(shù)據(jù)也反過來進一步促進的相關理論的發(fā)展，使該技術應用更加廣泛。

    2 原理與特點

    2.1 RIXS原理

    與其他X射線散射技術類似，RIXS物理過程涉及二次光子散射，光子進和光子出（phonton-in和phonton-out），其基本原理如圖1和圖2所示。首先入射光子把處于芯能級的電子共振激發(fā)到材料的價帶附近（圖1）或者是更高的導帶（圖2），形成中間態(tài)，這一步可以看作是RIXS的吸收過程（absorption）；隨后處于芯能級處的空穴受到激發(fā)電子或者價帶上的電子相互散射，強烈擾動整個系統(tǒng)，在經(jīng)過1-2飛秒后，導帶上的受激發(fā)或者價

    帶附近的電子退激發(fā)到芯空穴中，同時發(fā)射出另一個光子，該過程被稱為激發(fā)過程（emission）。

    對于不同的中間態(tài)，RIXS可以分為直接RIXS和間接RIXS。圖1是一個直接RIXS的基本光激發(fā)過程，即：一定能量的入射光子把芯能級處的電子直接激發(fā)到系統(tǒng)價帶附近，這個受激發(fā)的電子隨后與價帶的電子系統(tǒng)直接相互作用，經(jīng)過一定的時間，在價帶上的另一個電子退激發(fā)下來，填充了在芯能級上的空態(tài)，同時發(fā)射出一個新的光子。這樣的結(jié)果是整個系統(tǒng)在價帶上形成一個電子空穴對激發(fā)，這個激發(fā)態(tài)在某些條件下能夠在材料中移動，所以可以表現(xiàn)出一定的動量依賴行為。由于RIXS的兩個過程都必須滿足光躍遷定則，實驗中常利用直接RIXS在氧，碳元素的K吸收邊或者是過渡金屬元素的L吸收邊。

    圖2是間接RIXS的基本過程。不同的是，在間接RIXS中，X射線直接將芯能級處的電子激發(fā)到空的導帶上，由于導帶所在的能量尺度一般比價帶高，此時價帶處的電子系統(tǒng)強烈地被芯空穴的庫倫作用相互作用所擾動；隨后經(jīng)過短暫時間，在導帶上的受激發(fā)電子躍遷下來填充掉芯空穴，與此同時，價帶上的電子系統(tǒng)由于中間態(tài)的影響處在一個激發(fā)態(tài)。所以對間接RIXS

    而言，如果系統(tǒng)在中間態(tài)與芯空穴沒有相互作用，那么入射光子和出射光子的能量一樣，非彈性散射也就不會發(fā)生，即不發(fā)生間接RIXS過程。因此間接RIXS一般在過渡金屬元素的K吸收邊，如Cu K-edge。

    2.2 RIXS特點

    1.  體態(tài)敏感性

    RIXS測量中所用的X射線一般在幾百至上千個eV，這些高能量的X射線在材料中的穿透深度在幾百納米到微米的尺度上，所以使得RIXS探測到的信號都是材料內(nèi)部的一些本征信息。

    2. 元素，軌道唯一性

    由于RIXS實驗一般會選在特定元素的特定吸收邊進行測量，不同元素及同一元素不同吸收邊的X射線能量都不一樣，甚至在一些復雜體系中，同一元素同一吸收邊在不同的局部環(huán)境下也會有細微的差別，所以通過選擇特定吸收邊上的X射線，能夠探測某一環(huán)境下特定元素的電子行為。

    3. 微聚焦

    利用先進的光學聚焦鏡，現(xiàn)代同步輻射上的X射線能夠聚焦到幾個納米，所以對于實驗而言，一個與X射線尺寸相匹配的樣品

    即可用來測量，大大減輕了樣品合成的壓力。

    4.  偏振特性

    現(xiàn)代大型同步輻射產(chǎn)生的X射線一般具有非常好的偏振極化特性，考慮到材料電子不同自由度對于不同極化的X射線有不一樣的散射截面，通過調(diào)節(jié)X射線的極化方向，可以有選擇地探測電子的某一性質(zhì)，如電子自旋翻轉(zhuǎn)的物理過程。

    3 應用

    3.1 半導體和絕緣寬帶材料能帶色散

    對半導體和離子絕緣體等寬帶材料來說，電子-電子相互作用幾乎可以忽略，故RIXS散射過程可用單電子近似的能帶理論進行解釋。而偶極躍遷定則使得RIXS譜反映的主要是局域部分能態(tài)密度，由于遵從能量及動量守恒定律，激發(fā)和發(fā)射能量差將反映價帶到導帶的電子躍遷能量，而散射光子的動量轉(zhuǎn)移將滿足導帶電子和價帶空穴的動量差。對于輕元素如C，N的K邊，Si的L邊來說，動量轉(zhuǎn)移一般可以忽略不計，這使得導帶電子和價帶空穴具有相同的晶格動量。因此，我們可以通過選擇不同的激發(fā)能量來改變晶格動量值，并由此對能帶色散進行詳細的研究。

    3.2 4f強關聯(lián)及混合價態(tài)體系

    對于稀土強關聯(lián)體系，4f電子和它本身或者復雜體系內(nèi)其他組分價電子的相互作用，是這個領域的中心問題。早期的硬X射線吸收譜研究雖然能夠提供晶體局域結(jié)構的信息，但是其極短的壽命引起的能量展寬(對L邊一般是2 — 4 eV) 嚴重限制了一些精細結(jié)構的探測。令人驚喜的是，通過RIXS，我們可以在很大程度上削減芯能級壽命展寬的限制。如2p-5d-3d RIXS，它激發(fā)2p芯電子到5d導帶上，然后探測3d-2p的偶極退激發(fā)，普通吸收譜的末態(tài)在這里成為RIXS的中間態(tài)。 H?m?l?inen 等首次應用這種方

    法對Dy化合物進行了研究[1]。通過2p-5d (4f) -3d RIXS，作者獲得了普通吸收譜所觀察不到的2p-4f四極躍遷近邊結(jié)構，如圖3所示。

    隨后該方法又被廣泛應用到其他更復雜的如Ce、La、Yb等具備復合價態(tài)的化合物中。一個典型的例子是Dallera [2]等應用半熒光軟X吸收（PFY-XAS）和RIXS對YbInCu4和YbAgCu4重費米子體系內(nèi)4f電子占有數(shù)進行了量化分析。由于這些體系的基態(tài)具有兩個不同的量子軌道，Yb3+ (4f13) 和Yb2+ (4f14) ，兩者的組分隨溫度呈現(xiàn)一定的依賴關系。因此，確定組分比例隨溫度的變化關系成為研究的重點。當應用RIXS到Y(jié)b的L邊時，他們發(fā)現(xiàn)，不僅可以獲得Yb3+和Yb2+在高分辨吸收譜中的貢獻。更重要的是，通過共振激發(fā)Yb2+組分，兩種化合態(tài)在RIXS譜中可以很好地區(qū)別開來。故對兩者的相對強度隨溫度的變化進行研究，即可給出4f電子占有數(shù)的溫度曲線。圖4列出了基于RIXS譜的YbAgCu4中Yb2+組分隨溫度變化的關系，其中細線為理論計算值。可以看出，兩者符合得很好。

    與Yb體系相對應的是Ce及其復雜化合物。Rueff[3]等通過將RIXS與高壓環(huán)境結(jié)合，對金屬Ce的4f電子占有數(shù)進行研究，顯示了RIXS強有力的探測能力。除此之外，RIXS的這種高分辨的方法還被廣泛應用到對3d過渡金屬化合物的研究中；或者還可以通過1s-4p-3p RIXS來對一些復雜化合物的自旋態(tài)進行研究。

    3.3  高溫超導等強關聯(lián)體系的低能激發(fā)

    對強關聯(lián)復雜氧化物如高溫超導 (HTSC) 、巨磁阻 (CMR) 、稀磁半導體 (DMS) 等材料來說，一些精細電子結(jié)構如dd電子激發(fā)、電荷轉(zhuǎn)移、電聲子耦合、自旋激發(fā)以及磁子聲子色散等信息，一直都是凝聚態(tài)物理研究的熱點。由于這些物理性質(zhì)一般都局限在meV到幾個eV能量范圍內(nèi)，因此對它們的探測也成為RIXS研究的重要組成部分之一。在硬X射線范圍內(nèi)，早在十多年前，RIXS已開始對銅氧化物高溫超導以及錳巨磁阻化合物的電荷轉(zhuǎn)移及dd激發(fā)以及它們的動量依賴關系進行了研究。

        圖5顯示的是Ca2CuO2Cl2的1s-4p-1s RIXS譜。由于在激發(fā)1s芯電子到4p連續(xù)帶的過程中，下Hubbard帶的價電子也隨之會被間接地激發(fā)到上Hubbard帶上，因此對K邊RIXS進行研究，可以獲得這種通過Mott帶隙的電子空穴對的電荷轉(zhuǎn)移信息。從局域角度來看，激發(fā)產(chǎn)生的空穴一般形成Zhang-Rice單重態(tài) (Zhang-Rice singlet，ZRS) ，而躍遷電子則占據(jù)到臨近的Cu位上。圖5的RIXS結(jié)果表明，沿 (0，0) - (π，π) 方向的電荷轉(zhuǎn)移要明顯快于 (0，0) - (π，0) 方向，即電荷空穴對在反鐵磁母體內(nèi)的傳播是強烈各向異性的。

        與硬X射線RIXS不同的是，軟X射線RIXS一般由2p-3d-2p激發(fā)-退激發(fā)通道對3d復雜氧化物進行探測，即3d電子態(tài)直接參與RIXS散射過程。從某種程度上說，軟X射線RIXS可更直接地獲得3d態(tài)的電子結(jié)構。在對MnO，NiO，CoO等氧化物的研究中，相對于硬X射線RIXS，局域dd激發(fā)和非局域的電荷轉(zhuǎn)移

    激發(fā)均可更容易地被觀察到。利用配位場知識并結(jié)合多重態(tài)理論計算，我們能夠精確地確定材料的晶體場分裂值 、庫侖相互作用力 (on-site Coulomb repulsion) Udd、以及電荷轉(zhuǎn)移值等。

    3.4  其他方向的應用

    除了對凝聚態(tài)物理的貢獻外，RIXS在其他領域如氣體、液體、氣液固界面、納米材料、異質(zhì)結(jié)、生物化學、催化材料、地球物理學等等均有著非常重要的作用。

    (1) 液態(tài)物質(zhì)及固液界面:

    RIXS光子進/光子出的性質(zhì)使得我們可以對液態(tài)物質(zhì)以及一些固體-液體的界面進行探測。如，氣液態(tài)水、酒精-液態(tài)水混合體以及液態(tài)水與Pt金屬界面的電子結(jié)構；通過氧K邊RIXS確定含水物態(tài)中氫鍵的趨向和構成。

    (2) 納米材料和異質(zhì)結(jié):

    在對納米材料如富勒烯、金屬富勒烯、碳納米管及納米過渡3d氧化物的研究中，RIXS具備較高的穿透性，可以探測XAS、光電子能譜無法達到的深度。

    (3) 復雜混合價態(tài)材料:

    RIXS對化合價態(tài)和軌道取向敏感，并具有適合原位探測的優(yōu)勢,可以對一些混合價態(tài)體系如Li-Ni/Mn氧化物電池進行原位研究，分析過程中的金屬價態(tài)變化。

    4 總結(jié)

    共振非彈性X射線散射是一種新生的譜學探測手段，雖然才發(fā)展了短短20多年時間，但它在凝聚態(tài)物理、材料科學、生物、化學以及地球物理等領域卻顯示了不可忽視的作用。近年來，隨著同步輻射光源亮度的提升，新光學器件及探測器的發(fā)明，

    使得RIXS的能量分辨率大幅提升，這不僅給研究凝聚態(tài)物理內(nèi)一些奇異物理性質(zhì)帶來了福音，而且給其他領域的復雜精細信息的探測也提供了很大的幫助。隨著國家對大型科研設施的不斷投入，RIXS這種探測方法將會成為國內(nèi)繼角分辨光電子譜和中子散射之后的另一個強有力的譜學探測技術。

    5 參考文獻

    [1] Hamalainen K，Siddons D P，Hastings J B et al. Phys. Rev . Lett.，1991，67: 2850.

    [2] Dallera C，Grioni M，Shukla A，et al. Phys. Rev. Lett.，2002，88，196403.

    [3] Rueff J P，ItiéJ P，Taguchi M，et al. Phys. Rev. Lett.，2006，96: 237403.

    [4] De Groot，P，Bergmann U et al., J. Phys. Chem. B，2005，109: 20751.

    [5] 周克瑾，共振非彈性X射線散射用于強關聯(lián)體系的研究，中國科學院高能物理研究所博士論文，2007.

    [6] 維基百科.

    [7] 丁洪，共振非彈性X射線散射——一種新型的X射線譜學探測方法的介紹， 物理，2010，39(05)，324.

     

     

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    全部 3小時前 四川
    文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具?，F(xiàn)代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產(chǎn)生書面文字，很多小語種，有語言但沒有文字。文字的不同體現(xiàn)了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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