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三維原子探針（APT）

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三維原子探針（APT）

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項目介紹

原子探針是基于場發(fā)射原理制成的。在超高真空及液氮冷卻試樣條件下，在針尖試樣上施加足夠的正高壓，試樣表面原子開始形成離子并離開針尖表面。這稱為場發(fā)射。

通過在樣品與近局域電極之間施加電場，在電壓脈沖或激光脈沖作用下使材料表面的原子逐層剝離出來，剝離出的離子經(jīng)過直流電場后飛向探測器。

根據(jù)離子的飛行時間，可以推算出每個離子的質(zhì)合比；根據(jù)離子到達探測器的位置和次序，推算其原始位置，通過軟件對數(shù)據(jù)進行重構(gòu)，從而還原各個原子在材料的三維空間分布。

樣品要求

樣品滿足FIB制樣

1. 粉末樣品至少5微米以上尺寸，且無磁性；薄膜/塊體樣品最大不超過2cm，高度不超過5mm，可以有磁性；強磁樣品的盡量讓尺寸更小；

2. 送樣前，需在SEM電鏡下確認(rèn)好樣品滿足FIB的要求；

3. 包樣樣品加工成品大小一般不超過長度5μm*深度5μm；如果樣品需要加工更大尺寸，需要下單前聯(lián)系我們進行評估和議價；

4.樣品要求導(dǎo)電性良好，如果導(dǎo)電性比較差的話需要進行噴金或噴碳處理。

提供樣品結(jié)構(gòu)成分信息以及測試需求。

項目案例
常見問題
1、FIB可以做什么？

（1）FIB-SEM:FIB制備微米級樣品截面，進行SEM和能譜測試。樣品尺度要求2-30μm，通常切樣面直徑不超過10μm。

（2）FIB-TEM:FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括：薄膜、塊體樣品，微米級顆粒。樣品種類：陶瓷、金屬等。

2、FIB制樣可能引入的雜質(zhì)？

W、C、Ga，其中W、C是為了保護減薄區(qū)域，Ga是離子源。如果樣品不導(dǎo)電可能噴Au或者噴Pt，從而引入這兩種元素。

3、APT可以做什么？

可以進行進行三維映射和化學(xué)成分精確測量（化學(xué)敏感度約為20 ppm，物質(zhì)的量濃度）的材料分析。

4、APT的制樣過程？

三維原子探針（APT）

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