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動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）

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動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）

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項目介紹

動態(tài)二次離子質(zhì)譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來，用質(zhì)量分析器接收濺射出的二次離子，通過分析其質(zhì)荷比(m/z)得到的二次離子質(zhì)譜。

相比TOF-SIMS，D-SIMS有更強的深度分析能力，分析深度能達到5~10μm，且剖析過程中可以連續(xù)測試元素信息；深度分辨率和檢出限比TOF高很多，分析面積100、200、300μm見方居多，面積越大濺射速率越慢。

樣品要求

樣品要求：以固態(tài)薄層、表面平整材料為主，比如襯底或者薄膜；粉末、已封裝或者有結(jié)構(gòu)之類的特殊樣品需要進行適當(dāng)制備；

1. 尺寸要求：5~10mm之間，厚度不超過1mm，真空保存，標(biāo)記清楚測試面；

2. 分析面積100、200、300μm見方居多，面積越大濺射速率越慢；

3. 分析深度一般在5μm之內(nèi)，但不超過10μm；

4. 部分樣品可以定量分析（比如：常見的硅中各種摻雜B、P、As等，各類化合物半導(dǎo)體及其多層結(jié)構(gòu)等），取決于是否有合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品。

項目案例

D-SIMS原位測試

網(wǎng)格硅的SIMS圖譜和Mapping成像

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）

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